王彩琳 博士，教授，博士生导师，高级工程师

教育经历：

1988年7月毕业于原陕西机械学院半导体物理与器件专业，获学士学位；

1991年4月毕业该校电力电子技术专业，获硕士学位；

2007年4月获西安理工大学微电子学与固体电子学学科博士学位。

工作经历：

1991-1999年在西安电力电子技术研究所参加工作，主要在第二研究室半导体工艺线从事新型电力半导体器件的研发工作（高级工程师）；

1999年7月调入西安理工大学自动化与信息工程学院，主要从事电子科学与技术、微电子技术等专业的教学工作及其相关的科研工作（教授、博导）。

研究方向：

1. 半导体器件工艺与可靠性

2. 新型电力半导体器件与功率集成

主讲课程：

主讲本科生的《半导体工艺原理》和《电力半导体器件》等课程；硕士生《功率集成》、《器件可靠性与失效分析》及《电子科学与技术新进展》以及博士生的《新器件新工艺》等课程。

科研项目：

先后主要完成人参加过国家级“八五”科技攻关、973等重大项目，主持国家自然科学基金（面上项目）、教育部高等学校博士学科点专项科研基金（博导类）、陕西省重点研发计划重大重点项目、工业攻关项目及自然科学基金项目、教育厅科技计划等50余项。

科研成果：

1. 获奖

1997年获机械部教育司科技进步壹等奖1项和西安市科学技术进步叁等奖1项。

2. 论文

发表研究论文100余篇，其中SCI、EI收录80篇。

3. 专著

1）《电力电子新器件及制造技术》，机械工业出版社，2015年7月

2）《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计与工艺》，机械工业出版社，2018年10月

4. 专利

申请国家发明专利19项，目前已授权国家发明专利15项。

1）门极换流晶闸管GCT的门-阴极结构设计方法，ZL200510096016.8，2008.10.22

2）一种注入效率可控的门极可关断晶闸，ZL200710017568.4，2009.2.25

3）氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法, ZL200810018084.6,2010.2.10

4）一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法，ZL200910022272.0，2012.6.13

5）一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法，ZL201010191042.X，2012.6.13

6）一种沟槽负斜角终端结构及其制备方法，ZL201110196090.2，2013.3.13

7）一种沟槽正斜角终端结构及其制备方法，ZL201110196911.2, 2013.3.13

8）适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构及其制备方法, ZL201210376053.4, 2015.2.18

9）一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，ZL201310695830.6，2016.4.20

10）一种场限环-负斜角复合终端结构，ZL201310695843.6，2016.6.22

11）一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT及制备方法,ZL201410605143.5, 2017.2.8

12）一种高压快速软恢复二极管及其制备方法 ,ZL2014102744571, 2017.02.08

13）一种具有连通型存储层的高压IGBT及其制造方法,ZL201510374743.X, 2018.04.27

14）一种电子注入增强型的高压IGBT及其制造方法, ZL2015103754749, 2018.04.27

15）一种沟槽-场限环复合终端结构及其制备方法, 申请号 201610831545.6, 2016.9.19

16）一种横向变掺杂-结终端延伸复合终端结构及其制造方法,申请号201810380268.0, 2018.4.25

17）一种高压快速软恢复二极管的制造方法,申请号201810469464.5,2018.5.16

18）具有双侧调整区的高压快速软恢复二极管及其制备方法,申请号201811081650.8, 2018.9.17

19）一种压接式双芯GCT的封装结构,申请号201811081650.8,2018.10.10

联系方式

陕西省西安市碑林区金花南路5号（710048）